串行Flash是用串行接口進行連續數據存取的小尺寸、低功耗的flash memory。串行 flash使用比并行flash更少的連線在一個系統中傳送數據。對于引腳數目少的串行flash 來講它的優勢是減少了系統板的空間、功耗和成本。對于容量在512Kbit到16Mbit的25 系列串行flash來講,它具有SPI接口和與工業標準的SPI串行EEPROM器件引腳對引腳 硬件兼容的特點。

 

重要特征

操作電壓：2.7-3.6V 或者 3.0-3.6V 讀和寫操作

4 線串行接口結構

具有wrap-around特點的連續字節讀操作

低功耗 : 7mA(典型),待機：8uA(典型)

靈活的擦除能力 : 4KByte統一Sector-Erase,32Kbyte或者64Kbyte Block-Erase或者Chip- Erase能力

快速擦除時間：Sector-Erase或者Block-Erase:：18ms(典型)

字節編程：14us(典型)

最大操作時鐘頻率可達50MHz

對于快速計算有自動地址累加(AAI)編程

通過WP#引腳可實現硬件寫保護

 

Device  　　　　Density 　　Voltage　 Clock speed (MHz)  　Packages 

SST25VF512  512Kb(64Kx8)  2.7-3.6V  　　20  　　　　SOIC-8(150mil),WSON-8 

SST25VF512A  512Kb(64Kx8)  2.7-3.6V  　33　 　　　 SOIC-8(150mil),WSON-8 

SST25VF010  1Mb(128Kx8)  2.7-3.6V  　20  　　　　　SOIC-8(150mil),WSON-8 

SST25VF010A  1Mb(128Kx8)  2.7-3.6V 　 33 　 　　　SOIC-8(150mil),WSON-8 

SST25VF020  2Mb(256Kx8)  2.7-3.6V 　　 20  　　　　　SOIC-8(150mil),WSON-8 

SST25VF020A  2Mb(256Kx8)  3.0-3.6V 　 33  　　　　SOIC-8(150mil),WSON-8 

SST25VF040  4Mb(512Kx8)  2.7-3.6V  　　20 　　 　　　SOIC-8(200mil),WSON-8 

SST25VF040A  4Mb(512Kx8)  3.0-3.6V  　　33 　　　　 SOIC-8(200mil),WSON-8 

SST25VF040B  4Mb(512Kx8)  2.7-3.6V 　　 50  　　　　SOIC-8(200mil),WSON-8 

SST25VF080B  8Mb(1Mx8)  2.7-3.6V  　　50  　　　　　SOIC-8(200mil),WSON-8 

SST25VF016B  16Mb(2Mx8)  2.7-3.6V 　　 50  　　　　　SOIC-8(200mil),WSON-8 

SST25VF032B  32Mb(4Mx8)  2.7-3.6V  　　50  　　　SOIC-8(200mil),SOIC-16(300mil) 

SST25VF064C  64Mb(8Mx8)  2.7-3.6V  　　50  　　　　　SOIC-16(300mil) 

SST25VF128C  128Mb(16Mx8)  2.7-3.6V 　　 50 　 　　　SOIC-16(300mil)