PVD離子鍍膜設(shè)備替代傳統(tǒng)氮化鈦（TiN）離子鍍技術(shù)的新一代耐磨蝕鍍層技術(shù)裝備。它采用低壓離孿**?輔助加強(qiáng)的非平衡磁控濺射技術(shù)，能鍍制氮化鋁鈦（TiAlN），碳氮化鈦（TiCN），氮化鉻（CrN），氮化鈦（TiN），氮化鋯（ZrN）及類金剛石等超硬鍍層。通過采用新的復(fù)合鍍層原理和精確的工件轉(zhuǎn)動(dòng)結(jié)構(gòu)，能保證同爐鍍制出上述膜系的3種成分的多層（納米級(jí)）復(fù)合鍍層。研制成功的新的工模具鍍層技術(shù)，可按工模具實(shí)際使用條件進(jìn)行綜合膜系設(shè)計(jì)。多成分復(fù)合鍍層比單一成份鍍層具有更好的耐磨耐蝕性能，其壽命和加工效率均可比單一鍍層高。

　　PVD離子鍍膜機(jī)技術(shù)性能：
　　鍍膜室：殼體為不銹鋼，水冷。
　　內(nèi)腔尺寸：Φ750×H 650 mm.
　　真空系統(tǒng)：分子泵F—250，1500 L／Sec
　　機(jī)械泵2X—30，30 L／Sec
　　極限真空度：≤7×10-4Pa
　　恢復(fù)真空：大氣——7×10-3Pa≤30min
　　工件轉(zhuǎn)動(dòng)：臥式，公自轉(zhuǎn)，公轉(zhuǎn)4～10轉(zhuǎn)／min
　　工件架尺寸：Φ500×350 mm
　　可裝工件數(shù)量：70×14×10 mm工件50件以上。
　　非平衡磁控靶：2個(gè)
　　靶電源：2個(gè)，0～600V／15A.
　　低壓離孿**?：1個(gè)，0～60V／180A.
　　低壓離孿**?電源：1個(gè)
　　偏壓電源：1個(gè)，0～600V／20A.
　　等離子清洗：由低壓離孿**?進(jìn)行清洗。
　　工件加熱：由低壓離孿**?加熱，或附加加熱器進(jìn)行加熱。
　　由熱電偶測(cè)量溫度。
　　可鍍膜的成份：TiAlN，TiCN，CrN，ZrN，TiN，類金剛石等。
　　充氣系統(tǒng)：由3路質(zhì)量流量控制器（MFC）分別對(duì)1路Ar，1路N2，1路C2H2進(jìn)行控制。
　　加工控制：手動(dòng)。［另可根據(jù)需要采用計(jì)算機(jī)和PLC作半自動(dòng)或自動(dòng)控制。］
　　供電電源：3N-220／380V±10％，50HZ，保護(hù)地線，耗電≈30KW.
　　冷卻水：壓力≥2Kg／cm2，耗水量約5T／hr.