主要用途
是生產各種金屬膜電阻及氧化膜電阻的專用設備，可以完成高、中、低不同阻值的鍍膜工藝。

主要組成
設備由真空室、真空機組、直流濺射源、射頻濺射源、分流式滾筒、充氣裝置、真空測量及其它輔助裝置等組成。

主要特點
★生產能力大，根據型號的不同，每爐可鍍制裝載量達分別為10～11Kg、20～25Kg、30～40Kg左右的瓷體。
★磁控濺射源工作特性穩定可靠，沉積速率高，陰極體采用可變磁場，大大提高了靶材的利用率，在40%以上。
★根據不同電阻值和工藝要求配置不同濺射源，工藝適應性強。如配置射頻濺射源可鍍制介質膜，配備離化源可鍍制氧化膜。
★采用特殊分流式滾筒，瓷體鍍制膜層均勻，阻值集中。
★如配用PLC可編程控制，設備自動化水平提高，性能更加可靠，操作更為簡便。
★調節沉積室的氣氛可控沉積膜的阻值和TCR（溫度系數）；鍍制后電阻在合適的“后調整”熱處理后TCR可接近于零。