型號：SKIIP1814GB12E4-3DL

品牌：Semikron|西門康

封裝：IGBT

年份：2012+

數量：300

備注：_風冷1700V 1500A西門康模塊

價格：RMB 電議 含稅17%元/個

簡述：風冷1200V 1800A西門康模塊

 IGBT管在使用過程中，經常受到容性或感性負載的沖擊，發生過負荷甚至負載短路等，可能導致IGBT管損壞。IGBT管在使用時的損壞原因主要有過電壓損壞和靜電損壞

　　IGBT管在關斷時，由于電路中存在電感成分，關斷瞬間將產生尖峰電壓。如果尖峰電壓超過IGBT管器件的最高峰值電壓，將造成IGBT管擊穿損壞。IGBT管過電壓損壞可分為集電極一柵極過電壓、柵極一發射極過電壓、高du/dt過電壓等。

　　大多數過電壓保護電路的設計都比較完善，但是對于由高du/dt所致的過電壓故障，在設計中基本上都是采用無感電容或者RCD結構的吸收電路。由于吸收電路設計的吸收容量不夠，會造成IGBT管損壞，對此可采用電壓鉗位，往往在集電極和柵極兩端并接齊納二極管（推薦使用美國Diodes公司的1.5KE××A產品系列），采用柵極電壓動態控制方式。當集電極電壓瞬間超過齊納二極管的鉗位電壓時，超出的電壓將疊加在柵極上（米勒效應起作用），避免了IGBT管因受集電極一發射極過電壓而損壞。

　　采用柵極電壓動態控制可以解決由于過高的du/dt帶來的集電極一發射極瞬間過電壓問題，但是它的弊端是：當IGBT管處于感性負載運行狀態時，關斷的IGBT管由于其反并聯二極管（續流二極管）的恢復，其集電極和發射極兩端的電壓急劇上升，承受很高的瞬間du/dt。在多數情況下該du/dt值要比IGBT管正常關斷時的集電極一發射極電壓上升率高。

　　由于米勒電容(Cres)的存在，該du/dt值將在集電極和柵極之間產生一個瞬間電流流向柵極驅動電路。該電流與柵極電路的阻抗相互作用，直接導致柵極一發射極電壓UGE升高，甚至超過IGBT管的開通門限電壓UGEth，出現的惡劣情況就是使IGBT管被誤觸發導通。

1200V-IGBT 3(Trench)-SKIIP 3

SKIIP1213GB123-2DL V3   1200V----1200A

SKIIP1813GB123-3DL V3   1200V----1800A

SKIIP2413GB123-4DL V3   1200V----2400A

SKIIP613GB123-3DUL V3   1200V----600A

1200V-IGBT 4(Trench)-SKIIP 4

SKIIP1814GB12E4-3DL     1200V----1800A

SKIIP1814GB12E4-3DW     1200V----1800A

SKIIP2414GB12E4-4DL     1200V----2400A

SKIIP2414GB12E4-4DW     1200V----2400A

SKIIP3614GB12E4-6DL     1200V----3600A

SKIIP3614GB12E4-6DW     1200V----3600A

1700V-IGBT 3(Trench)-SKIIP 3

SKIIP1013GB172-2DL V3   1700V----1000A

SKIIP1203GB172-2DW V3   1700V----1200A

SKIIP1513GB172-3DL V3   1700V----1500A

SKIIP1803GB172-3DW V3   1700V----1800A

SKIIP2013GB172-4DL V3   1700V----2000A

SKIIP2403GB172-4DW V3   1700V----2400A

SKIIP513GB172-3DUL V3   1700V----500A

SKIIP603GB172-3DUW V3   1700V----600A

1700V-IGBT 4(Trench)-SKIIP 4

SKIIP1814GB17E4-3DL     1700V----1800A

SKIIP1814GB17E4-3DW     1700V----1800A

SKIIP2414GB17E4-4DL     1700V----2400A

SKIIP2414GB17E4-4DW     1700V----2400A

SKIIP3614GB17E4-6DL     1700V----3600A

SKIIP3614GB17E4-6DW     1700V----3600A