中國(guó)的鋁電解電容器發(fā)展非常快,經(jīng)統(tǒng)計(jì)結(jié)果，97當(dāng)年的鋁電解電容器產(chǎn)量約為150億只，經(jīng)預(yù)測(cè)這幾年年產(chǎn)量可能已超過(guò)200億只的實(shí)際狀況。從我國(guó)電子行業(yè)的發(fā)展?fàn)顩r看，近幾年鋁電解電容器的產(chǎn)量還會(huì)有較大的提高。目前中國(guó)鋁電解電容器用化成箔一部分用國(guó)產(chǎn)箔，另有一部分為外資在大陸的生產(chǎn)企業(yè)所供,同樣還有一部份為進(jìn)口。

　　鋁電解電容器中用的化成箔屬于,這是一種在極性條件下工作的腐蝕材料。不同極性的電子化成箔要求有不同的腐蝕類(lèi)型。高壓陽(yáng)極箔為柱孔狀腐蝕，低壓陽(yáng)極箔為海綿狀腐蝕，中壓段的陽(yáng)極箔為蟲(chóng)蛀狀腐蝕。

　　上個(gè)世紀(jì)80年代以前，鋁電解電容器大都是沿用手工化學(xué)腐蝕，80年代之后采用自動(dòng)電化學(xué)腐蝕。手工腐蝕用的化成箔純度較低（99.3％～99.7％），對(duì)化成箔加工質(zhì)量的要求也不高。自動(dòng)電化學(xué)腐蝕要求化成箔的純度越來(lái)越高，對(duì)化成箔的加工質(zhì)量也要求越來(lái)越精。從鋁的純度而言，20世紀(jì)80年代鋁純度為99.99％，迄今鋁純度已達(dá)99.993％。這是電極箔的要求，也是鋁加工行業(yè)的技術(shù)在進(jìn)步。

功率場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）是應(yīng)用較多的開(kāi)關(guān)器件，它有較高的開(kāi)關(guān)速度，但同時(shí)也有較大的寄生電容。它關(guān)斷時(shí)，在外電壓的作用下， 其寄生電容充滿電，如果在其開(kāi)通前不將這一部分電荷放掉，則將消耗于器件內(nèi)部，這就是容性開(kāi)通損耗。為了減小或消除這種損耗，功率場(chǎng) 效應(yīng)管宜采用零電壓開(kāi)通方式（ZVS）。絕緣柵雙極性晶體管（Insu1ated Gate Bipo1ar tansistor，IGBT）是一種復(fù)合開(kāi)關(guān)器件，關(guān)斷時(shí)的電流拖 尾會(huì)導(dǎo)致較大的關(guān)斷損耗，如果在關(guān)斷前使流過(guò)它的電流降到零，則可以顯著地降低開(kāi)關(guān)損耗，因此IGBT宜采用零電流（ZCS）關(guān)斷方式。IGBT在 零電壓條件下關(guān)斷，同樣也能減小關(guān)斷損耗，但是MOSFET在零電流條件下開(kāi)通時(shí)，并不能減小容性開(kāi)通損耗。諧振轉(zhuǎn)換器（ResonantConverter ，RC）、準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換器（Qunsi-Tesonant Converter，QRC）、多諧振轉(zhuǎn)換器（Mu1ti-ResonantConverter，MRC）、零電壓開(kāi)關(guān)PWM轉(zhuǎn)換器（ZVS PWM Converter）、零電流開(kāi)關(guān)PWM轉(zhuǎn)換器（ZCS PWM Converter）、零電壓轉(zhuǎn)換（Zero-Vo1tage-Transition，ZVT）PWM轉(zhuǎn)換器和零電流轉(zhuǎn)換（Zero- Vo1tage-Transition，ZVT）PWM轉(zhuǎn)換器等，均屬于軟開(kāi)關(guān)直流轉(zhuǎn)換器。電力電子開(kāi)關(guān)器件和零開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器技術(shù)的發(fā)展，促使了高頻開(kāi)關(guān)電源的發(fā)展