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BSM200GB120DLC 三菱IGBT 英飛凌IGBT模塊 semikron fuji sanrex infineon ixys www.henlito.com 深圳市亨力拓電子有限公司0755-83293082
BSM200GB120DLC英飛凌
英飛凌BSM200GB120DLC
產品性能和作用 英飛凌BSM200GB120DLC是由歐佩克生產的新型IGBT之一，BSM200GB120DLC比上一代IGBT提供更好的DC和AC特性、更長的短路耐受時間以及更低的漏電流。經過所有這些改進，BSM200GB120DLC能實現高效和可靠的逆變器系統。英飛凌BSM200GB120DLC電力電子中的許多應用，尤其是電機驅動器、不間斷電源(UPS)、可再生能源、電焊機、感應加熱爐具和其他需要高電流和高電壓能力的逆變器應用。短路耐受能力也是IGBT用于逆變器應用的一項重要功能。
英飛凌BSM200GB120DLC基本參數：EUPEC 200A/1200V,兩單元半橋模塊
英飛凌BSM200GB120DLC外形封裝尺寸和結構圖（mm）
英飛凌BSM200GB120DLC 產品參數| 產品種類： | IGBT 模塊 |
| 產品： | IGBT Silicon Modules |
| 品牌和型號 | 英飛凌BSM200GB120DLC |
| 配置： | Dual |
| 集電極—發射極最大電壓 VCEO： | 1200 V |
| 集電極—射極飽和電壓： | 2.1 V |
| 在25 C的連續集電極電流： | 420 A |
| 柵極—射極漏泄電流： | 400 nA |
| 功率耗散： | 1550 W |
| 最大工作溫度： | + 125 C |
| 封裝 / 箱體： | 62 mm |
| 商標： | Infineon Technologies |
| 柵極/發射極最大電壓： | +/- 20 V |
| 最小工作溫度： | - 40 C |
| 安裝風格： | Screw |
| 工廠包裝數量： | 500 |
英飛凌BSM200GB120DLC 等效電路圖 英飛凌BSM200GB120DLC IGBT逆變器的運用原理 在逆變器驅動UPS或電機應用中，IGBT如果在故障電機、輸出短路或輸入總線電壓直通情形中導通，可能會損壞。在這些條件下，經過IGBT的電流快速增加直至飽和。在故障檢測和保護功能激活前，IGBT將承受電壓力。從拓撲上看，三級中點箝位拓撲越來越普遍，甚至可應用到中低功率逆變器，因為更好的輸出電壓性能可減小濾波器尺寸并降低成本，同時在不過分犧牲開關損耗的情況下增加開關頻率。在這種情況下，1200V擊穿電壓為滿足應用要求提供了極大的幫助。由于無法在三級NPC拓撲中完美平衡直流母線電壓，較高的阻斷電壓對此拓撲極其重要。開發1200V IGBT時，將開關和傳導損耗保持在與120000V IGBT相同水平至關重要。通常較高的擊穿電壓會造成Vce(sat)增加，并導致逆變器應用中的性能降低。
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