AEC-Q100認證是什么

　　AEC-Q100對IC的可靠性測試可細分為加速環境應力可靠性、加速壽命模擬可靠性、封裝可靠性、晶圓制程可靠性、電學參數驗證、缺陷篩查、包裝完整性試驗，且需要根據器件所能承受的溫度等級選擇測試條件。需要注意的是，第三方難以獨立完成AEC-Q100的驗證，需要晶圓供應商、封測廠配合完成，這更加考驗對認證試驗的整體把控能力。廣電計量將根據客戶的要求，依據標準對客戶的IC進行評估，出具合理的認證方案，從而助力IC的可靠性認證。

　　如果成功完成根據本文件各要點需要的測試結果，那么將允許供應商聲稱他們的零件通過了AEC Q100認證。供應商可以與客戶協商，可以在樣品尺寸和條件的認證上比文件要求的要放寬些，但是只有完成要求實現的時候才能認為零件通過了AEC Q100認證。

　　芯片可靠性驗證(RA)：

　　芯片級預處理(PC)&MSL試驗、J-STD-020&JESD22-A113；

　　高溫存儲試驗(HTSL),JESD22-A103；

　　溫度循環試驗(TC),JESD22-A104；

　　溫濕度試驗(TH/THB),JESD22-A101；

　　高加速應力試驗(HTST/HAST),JESD22-A110；

　　高溫老化壽命試驗(HTOL),JESD22-A108；

　　芯片靜電測試(ESD)：

　　人體放電模式測試(HBM),JS001；

　　元器件充放電模式測試(CDM),JS002；

　　閂鎖測試(LU),JESD78；

　　芯片IC失效分析(FA)：

　　光學檢查(VI/OM)；

　　掃描電鏡檢查(FIB/SEM)

　　微光分析定位(EMMI/InGaAs)；

　　OBIRCH；

　　Micro-probe;

　　聚焦離子束微觀分析(FIB)

　　彈坑試驗(cratering)

　　芯片開封(decap)

　　芯片去層(delayer)

　　晶格缺陷試驗(化學法)

　　PN結染色/碼染色試驗

　　推拉力測試(WBP/WBS)

　　紅墨水試驗

　　PCBA切片分析(X-section)

　　芯片材料分析：

　　高分辨TEM(形貌、膜厚測量、電子衍射、STEM、HAADF)；

　　SEM(形貌觀察、截面觀察、膜厚測量、EBSD)

　　Raman(Raman光譜)

　　AFM(微觀表面形貌分析、臺階測量)

　　AEC-Q100試驗后芯片失效分析項目：

　　形貌分析技術：體視顯微鏡、金相顯微鏡、X射線*、聲學掃描顯微鏡、掃描電鏡、透射電鏡、聚焦離子束。

　　成分檢測技術：X射線能譜EDX、俄歇能譜AES、二次離子質譜SIMS、光譜、色譜、質譜

　　電分析技術：I-V曲線、半導體參數、LCR參數、集成電路參數、頻譜分析、ESD參數、電子探針、機械探針、絕緣耐壓、繼電器特性。

　　開封制樣技術：化學開封、機械開封、等離子刻蝕、反應離子刻蝕、化學腐蝕、切片。

　　缺陷定位技術：液晶熱點、紅外熱像、電壓襯度、光發射顯微像、OBIRCH。

　　AECQ100認證測試周期：

　　3-4個月，提供全面的認證計劃、測試、報告等服務。

　　測試地點：

　　廣電計量廣州總部、廣電計量上海試驗室。

　　廣州廣電計量檢測股份有限公司（GRGT）失效分析實驗室AEC-Q技術團隊，執行過大量的AEC-Q測試案例，積累了豐富的認證試驗經驗，可為您提供更專業、更可靠的AEC-Q認證試驗服務。

　　AECQ100技術交流及業務咨詢：GRGT張工

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